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J-GLOBAL ID：200903045392536603

有機EL素子

Inventor：
中谷 賢司

About 中谷 賢司

, 
井上 鉄司

About 井上 鉄司


Applicant, Patent owner：
ティーディーケイ株式会社

About ティーディーケイ株式会社


Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995142507
Publication number (International publication number)：1996311442
Application date： May. 17, 1995
Publication date： Nov. 26, 1996
Summary：
【要約】【構成】 下記一般式(I)で表される化合物を有機化合物層、特に発光層に含有させた有機EL素子とする。一般式(I) (Ar)m -L(式中、Arは芳香族残基を表し、mは2〜6の整数であり、各々のArは同一でも異なるものであってもよい。Lは環数3〜10個の縮合多環芳香族のm価の残基を表す。ただし、Lがアントラセンから誘導される2または3価の残基であるとき、少なくとも1個のArはアルキニルアレーンから誘導される芳香族残基である。また、Lがナフタセンから誘導される4価の残基であって、5位、6位、11位および12位に各々Arが結合するとき、4個のArが同時にフェニル基になることはない。)【効果】 十分な輝度の発光、特に長波長における発光が長期に亘って持続して得られる。
Claim (excerpt)：
下記一般式(I)で表される化合物を含有する少なくとも1層の有機化合物層を有する有機EL素子。一般式(I)(Ar)m -L(一般式(I)において、Arは芳香族残基を表し、mは2〜6の整数であり、各々のArは同一でも異なるものであってもよい。Lは環数3〜10個の縮合多環芳香族のm価の残基を表す。ただし、Lがアントラセンから誘導される2または3価の残基であるとき、少なくとも1個のArはアルキニルアレーンから誘導される芳香族残基である。また、Lがナフタセンから誘導される4価の残基であって、5位、6位、11位および12位に各々Arが結合するとき、4個のArが同時にフェニル基になることはない。)
IPC (2)：
C09K 11/06 ,  H05B 33/14
FI (2)：
C09K 11/06 Z ,  H05B 33/14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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