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J-GLOBAL ID：200903045429690837

ショットキゲート電界効果トランジスタ

Inventor： 廣川 友明 ,  新宮 善蔵 ,  斉藤 茂
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000307335
Publication number (International publication number)：2002118122
Application date： Oct. 06, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 リターンロス値が低減し、且つ、耐圧が高く過大入力に対する歪みレベルが低減するショットキゲート電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 電界効果型トランジスタは、チャネル層1、ドレイン側コンタクト層3、ソース側コンタクト層4、誘電体膜5、及び、ゲート電極7を有する。ゲート電極7は、チャネル層1とショットキ接合し、所定の庇状のフィールドプレート部を有する。ゲート・ドレイン間リセス距離Lrgdは、800nm以上3000nm以下に設計され、ゲート・ドレインオーバーレイ距離Lgdは、Lrgd±400nm以内に設計され、誘電体膜5の膜厚tは、300nm以上600nm以下に設計される。

Claim (excerpt)：

表面にチャネル層及びコンタクト層がこの順に形成された半絶縁性基板と、前記コンタクト層の一部を除去して形成されたリセス内において、前記チャネル層にショットキ接触し、且つ、庇状のフィールドプレート部を有するゲート電極と、前記半導体基板上に前記ゲート電極と所定の位置関係で形成され、且つ、コンタクト層とオーミック接合されたソース電極及びドレイン電極とを備えるショットキゲート電界効果トランジスタにおいて、前記フィールドプレート部と前記チャネル層との間に、膜厚が300nm以上のSiO2膜から成る誘電体膜が設けられたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H03F 1/32

FI (2)：

H03F 1/32 ,  H01L 29/80 F

F-Term (27)：

5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GN05 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GR11 ,  5F102GR12 ,  5F102GS06 ,  5F102GS09 ,  5F102GT05 ,  5F102HC01 ,  5J090AA04 ,  5J090AA41 ,  5J090CA18 ,  5J090CA21 ,  5J090FA16 ,  5J090GN09 ,  5J090HA11 ,  5J090HA16 ,  5J090QA02 ,  5J090SA13 ,  5J090TA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-190506   Applicant：日本電気株式会社
• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-268394   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-128958   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-123015   Applicant：株式会社リコー