誘電体薄膜素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998159756
Publication number (International publication number)：1999354505
Application date： Jun. 08, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】微細加工精度が向上された誘電体薄膜素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の誘電体薄膜素子の製造方法は、基板10上に、下部電極層24を含む多層薄膜20を形成する工程と、該多層薄膜20の上に、被酸化性を有する、金属元素を含む第1の窒化物層40のパターンを形成する工程と、該第1の窒化物層40のパターンをマスクとして、酸化性ガスを含む混合ガスを用いて、該多層薄膜20を選択的にエッチングすることによって、該下部電極層20を所望の形状にパターニングする工程と、該第1の窒化物層40のパターンを除去する工程と、を包含する。

Claim (excerpt)：

基板上に、下部電極層を含む多層薄膜を形成する工程と、該多層薄膜の上に、被酸化性を有する、金属元素を含む第1の窒化物層のパターンを形成する工程と、該第1の窒化物層のパターンをマスクとして、酸化性ガスを含む混合ガスを用いて、該多層薄膜を選択的にエッチングすることによって、該下部電極層を所望の形状にパターニングする工程と、該第1の窒化物層のパターンを除去する工程と、を包含する誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01G 4/33 , H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/302 F , H01L 21/31 , H01G 4/06 102

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

白金食刻方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-195370 Applicant：エルジーセミコンカンパニーリミテッド
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-002835 Applicant：松下電子工業株式会社
高融点金属のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-106327 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (3)

白金食刻方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-195370 Applicant：エルジーセミコンカンパニーリミテッド
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-002835 Applicant：松下電子工業株式会社
高融点金属のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-106327 Applicant：ソニー株式会社

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