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J-GLOBAL ID:200903045441829042

有機半導体材料の精製方法、該精製方法を用いて得られた有機半導体材料及びそれを用いた半導体素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 坂口 信昭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002151748
Publication number (International publication number):2003347624
Application date: May. 27, 2002
Publication date: Dec. 05, 2003
Summary:
【要約】【課題】大量生産性に適し且つ高純度のものを提供できる有機半導体材料の精製方法、該精製方法を用いて得られた有機半導体材料及びそれを用いた半導体素子を明らかにする。【解決手段】(1)超臨界状態の溶媒を用いて不純物を除去すること、(2)有機半導体材料が、π共役系高分子化合物であること、又は(3)有機半導体材料が、チオフェン、ビニレン、チェニレンビニレン、フェニレンビニレン、p-フェニレン、これらの置換体またはこれらの2種以上を繰返し単位とし、かつ該繰返し単位の数nが4〜10であるオリゴマーもしくは該繰返し単位の数nが20以上であるポリマー、ペンタセンなどの縮合多環芳香族化合物、フラーレン類から選ばれること、を特徴とする有機半導体材料の精製方法である。
Claim (excerpt):
超臨界状態の溶媒を用いて不純物を除去することを特徴とする有機半導体材料の精製方法。
IPC (6):
H01L 51/00 ,  B01D 11/00 ,  C08G 85/00 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  C07B 63/00
FI (8):
B01D 11/00 ,  C08G 85/00 ,  C07B 63/00 D ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 V
F-Term (60):
4D056AB06 ,  4D056AB07 ,  4D056AB08 ,  4D056AB20 ,  4D056AC24 ,  4D056BA16 ,  4D056CA34 ,  4D056CA39 ,  4H006AA02 ,  4H006AD15 ,  4H006BB11 ,  4H006BB14 ,  4H006BB30 ,  4H006BB31 ,  4H006BE14 ,  4H006BE40 ,  4H006BE41 ,  4J031CC05 ,  5F110AA16 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG24 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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