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J-GLOBAL ID：200903090245791946

絶縁性,半導電性,および導電性薄膜の製造方法

Inventor： ラメシュ カカード
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000030754
Publication number (International publication number)：2001223209
Application date： Feb. 08, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】この明細書では、常圧または減圧下でつくられたプラズマを用いて膜を蒸着する方法について述べている。【解決手段】反応ガスに貴ガスを添加することにより通常使われている圧力より比較的高い圧力において反応ガスプラズマをつくることができた。開示されたプロセスを用いると、比較的低い温度とほぼ常圧で膜を蒸着できるので、膜蒸着と装置のコストを全体的に下げることができる。さらに、開示されたプロセスを用いると、装置の設置面積を小さくすることができる。

Claim (excerpt)：

薄膜を蒸着するプロセスにおいて、a.貴ガスとともに反応ガスを流し、b.前記反応ガスと前記貴ガスの混合物にエネルギーを加えてプラズマをつくり、このプラズマ成分を反応させて蒸着すべき前記膜の所望の組成物を形成し、さらにc.前記膜を基板に蒸着する工程を含む前記プロセス。

IPC (10)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/48 ,  C23C 16/503 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (11)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/48 ,  C23C 16/503 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 618 A

F-Term (72)：

2H090HB03X ,  2H090HB04X ,  2H090HC03 ,  2H090LA04 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA29 ,  4K030BA31 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA19 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  5F045AA08 ,  5F045AA13 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB31 ,  5F045AB39 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC14 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045CA05 ,  5F045CA15 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF80 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG45 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• プラズマCVDによる成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-104907   Applicant：新日本製鐵株式会社
• プラズマ発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-014886   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶シリコン薄膜およびその低温形成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-324770   Applicant：鐘淵化学工業株式会社
• シリコン積層体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-300467   Applicant：東燃株式会社
• 高品質半導体薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-008101   Applicant：三井東圧化学株式会社