Pat
J-GLOBAL ID：200903045515205712

ラジカル支援ドライエッチング装置

Inventor：
スニル ウィクラマナヤカ

About スニル ウィクラマナヤカ

, 
野上 祐

About 野上 祐


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002359877
Publication number (International publication number)：2004193359
Application date： Dec. 11, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：
【課題】電子陰影効果を避けることができ、高いエネルギを有したイオンあるいは電子を作ることなく、ダメージのないドライエッチングとして構成することができるラジカル支援ドライエッチング装置を提供する。【解決手段】ラジカル支援ドライエッチング装置はプラズマ発生機構8,9,11,12,26を含むプラズマ発生部100、処理されるべきウェハ23がウェハホルダ4のrf電極15の上には位置されるところのウェハ処理部200、プラズマ発生部100とウェハ処理部200を分離しかつウェハ処理部に到来する望ましくないイオンおよび電子を除去するフィルタ2から構成される。当該装置はさらにプラズマ発生部に材料ガスを導入するためのガス取入れ口装置13,26、ガス処理部にプロセスガスを導入するための複数のガス取入れ口14を備える。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
プラズマ発生機構を含むプラズマ発生部と、 処理されるべきウェハがウェハホルダのrf電極上に配置されるウェハ処理部と、 前記プラズマ発生部と前記ウェハ処理部を分離し、前記ウェハ処理部に到来する望ましくないイオンおよび電子を取り除くフィルタと、 前記プラズマ発生部に材料ガスを導入するガス取入れ装置と、 前記ウェハ処理部へプロセスガスを導入するための複数のガス取入れ口と、 から構成されるラジカル支援ドライエッチング装置。
IPC (2)：
H01L21/3065 ,  H05H1/46
FI (3)：
H01L21/302 101B ,  H05H1/46 L ,  H05H1/46 M
F-Term (7)：
5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BB32 ,  5F004BD03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM