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J-GLOBAL ID:200903092200961053
励起酸素の生成方法及び供給方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994229951
Publication number (International publication number):1995169758
Application date: Sep. 26, 1994
Publication date: Jul. 04, 1995
Summary:
【要約】【目的】 励起酸素を多量に生成し、反応部に多量に供給可能な励起酸素の供給方法を提供すること。【構成】 プラズマ放電領域内において、酸素ガス又は酸素原子を含むガスをプラズマで励起して、励起酸素を生成する工程、及びプラズマ放電領域に隣接する反応領域の圧力をプラズマ放電領域よりも低くしつつ、励起酸素を含むガスを反応領域に供給する工程を具備する励起酸素の供給方法。反応領域内では、励起酸素による反応が行われ、その結果、反応領域に収容された基板への薄膜の形成、基板表面のエッチング、反応室内部のクリ-ニング等が行われる。
Claim (excerpt):
第1の雰囲気内において、酸素ガス又は酸素原子を含むガスをプラズマで励起して、励起酸素を生成する工程、及び前記第1の雰囲気に隣接する第2の雰囲気の圧力を前記第1の雰囲気よりも低くしつつ、前記励起酸素を含むガスを前記第2の雰囲気に供給する工程を具備する励起酸素の供給方法。
IPC (4):
H01L 21/31
, C23C 16/44
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
FI (3):
H01L 21/31 C
, H01L 21/302 H
, H01L 21/302 F
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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化合物薄膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-055544
Applicant:株式会社東芝
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活性酸素発生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-026245
Applicant:工業技術院長, 日電アネルバ株式会社
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プラズマ膜堆積装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-233365
Applicant:松下電器産業株式会社
-
特開平2-194177
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-171784
Applicant:シチズン時計株式会社
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