Pat
J-GLOBAL ID：200903098768643283

半導体装置およびその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999334453
Publication number (International publication number)：2000223716
Application date： Nov. 25, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】 MOSトランジスタと同等かそれ以上の信頼性を達成すると同時にオン領域とオフ領域の両方で良好な特性が得られる結晶質TFTを実現することを目的とする。【解決手段】 ゲート電極をゲート絶縁膜に接して形成されるゲート電極の第1層目と、前記ゲート電極の第1層目上であって該ゲート電極の第1層目の内側に形成されるゲート電極の第2層目と、前記ゲート電極の第1層目と前記ゲート電極の第2層目とに接して形成されるゲート電極の第3層目とで形成し、半導体層は、チャネル形成領域と、一導電型の第1の不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記第1の不純物領域との間に形成された一導電型の第2の不純物領域とを有し、前記一導電型の第2の不純物領域の一部は前記ゲート電極の第1層目と重なっていることを特徴としている。
Claim (excerpt)：
基板上に、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有するTFTが形成されている半導体装置において、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜に接して形成されるゲート電極の第1層目と、前記ゲート電極の第1層目上であって該ゲート電極の第1層目の内側に形成されるゲート電極の第2層目と、前記ゲート電極の第1層目と前記ゲート電極の第2層目とに接して形成されるゲート電極の第3層目とを有し、前記半導体層は、チャネル形成領域と、一導電型の第1の不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記第1の不純物領域との間に形成された一導電型の第2の不純物領域とを有し、前記一導電型の第2の不純物領域の一部は、前記ゲート電極の第1層目と重なっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (8)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1365 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/43
FI (8)：
H01L 29/78 616 A ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 27/08 331 E ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 617 L
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM