犠牲層を用いた微細構造体の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：富田和子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997182398
Publication number (International publication number)：1998107339
Application date： Jul. 08, 1997
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】犠牲層を用いた微細構造体を製造する時、犠牲酸化膜除去により発生する微細構造体の固着現象を防止しようとする。【解決手段】犠牲層をポリシリコン膜上に形成し、犠牲層を蒸気相エッチング方法で除去し、残留物の発生を防止すると共に、犠牲層除去による空間に上部構造体が沈没して発生する固着現象を防止する。

Claim (excerpt)：

基板上から隔てられたシリコン微細構造体を製造するために犠牲層の酸化膜を用いるマイクロマシニング工程において、前記犠牲層酸化膜の除去時、無水HFとメタノールとの蒸気を含む蒸気相雰囲気でエッチングして除去する段階を含むことを特徴とする犠牲層酸化膜を用いた微細構造体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 49/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/306

FI (3)：

H01L 49/00 Z , H01L 21/302 J , H01L 21/302 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-004567 Applicant：富士通株式会社
特開平3-241832
気相反応による酸化物の制御エッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-086359 Applicant：ザペンステイトリサーチファウンデイション

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