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J-GLOBAL ID：200903045604563037

半導体パッケージ

Inventor： 市田 晃 ,  水上 正彦 ,  土井 良彦 ,  小谷野 ▲英▼勝
Applicant, Patent owner： 東京タングステン株式会社 ,  株式会社トーテック
Agent (1)： 後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997231449
Publication number (International publication number)：1999074311
Application date： Aug. 27, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 FCボールとして従来の搭載機とシステムを大がかりな変更無しには利用出来,電気的,熱的に整合性のある被覆層を施してなる被覆ボールを得る事が出来き,その複合ボールを,半導体素子その他と接合端子特に内部電極として使用することによってヒートサイクルに対し信頼性のある半導体パッケージとその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体素子を搭載する半導体パッケージ1において,直径が0.04〜0.1mmで直径のバラツキが直径の±5%以内の銅からなるコアボールの最表皮に半田層を有し,全被覆層の厚さが6μm以上ある被覆層を有する複合ボール2を以て構成されている。

Claim (excerpt)：

半導体素子を搭載する半導体パッケージにおいて,直径が0.04〜0.1mmで直径のバラツキが直径の±5%以内の銅からなるコアボールの最表皮に半田層を有し,全被覆層の厚みが6μm以上である被覆層を有する複合ボールを以て構成されていることを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (2)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• フリップチップ用接続ボール及び半導体チップの接合方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-302904   Applicant：株式会社ワールドメタル
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-230818   Applicant：シチズン時計株式会社
• 半田ボール、半田バンプ、半導体装置、その半田バンプの形成方法、及びその半導体装置の実装方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-040606   Applicant：松下電工株式会社
• 特開昭62-266842
  
• 半導体チップ接合用ボール及び半導体チップの接合方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-067116   Applicant：株式会社ワールドメタル