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J-GLOBAL ID：200903045682736991

半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor：
岡田 眞琴

About 岡田 眞琴

, 
玄永 康一

About 玄永 康一


Applicant, Patent owner：
東芝電子エンジニアリング株式会社

About 東芝電子エンジニアリング株式会社

, 
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000069820
Publication number (International publication number)：2001257413
Application date： Mar. 14, 2000
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：
【要約】【課題】モノリシック構造の二波長半導体レーザ装置において、所望の反射率を有し一括形成の可能な端面膜を提供すると共に、信頼性が高く所要の性能を満たし、かつ生産性の高い二波長半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】モノリシック構造の二波長半導体レーザ装置において、共振器前端面18には前端面膜19を有し、共振器後端面21には多層膜からなる高反射端面膜22を有している。前端面膜19は低屈折率材料を用いて反射率20%となるように膜厚を設定している。また、高反射端面膜22は低屈折率材料及び高屈折率材料の薄膜を交互に積層し、反射率80%になるように膜厚を設定している。両端面膜の膜厚は両半導体レーザダイオードの発振波長の平均値λm=(λ1+λ2)/2を用いて光学長d=(1/4+j)xλmより算出している。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に形成された第一の波長のレーザ光を発振する第一のレーザ素子部と、前記基板上に形成された第二の波長のレーザ光を発振する第二のレーザ素子部と、前記第一のレーザ素子部の前端面及び、前記第二のレーザ素子部の前端面に一括形成された同一膜厚の前端面膜と、前記第一のレーザ素子部の後端面及び、前記第二のレーザ素子部の後端面に一括形成された同一膜厚の複数の薄膜からなる後端面膜と、を具備し、前記前端面膜の膜厚及び前記後端面膜の複数の薄膜は、前記第一の波長及び前記第二の波長の平均波長λに対する光学長d=(1/4+j)xλ(j=0,1,2・・)であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (5)：
H01S 5/028 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/22 610 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343
FI (5)：
H01S 5/028 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/22 610 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343
F-Term (11)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB06 ,  5F073BA05 ,  5F073CA05 ,  5F073CA14 ,  5F073DA33 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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