誘導増強された反応性イオンエッチング

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995285062
Publication number (International publication number)：1996264296
Application date： Nov. 01, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】誘導コイルの助けで増強された中間密度プラズマを用いるプラズマエッチングのための方法および装置を提供する。【解決手段】反応性イオンエッチング・チャンバー内に、中密度プラズマを生成させるための方法と装置。プラズマを確立し、維持するためにチャンバー10内に電力を容量結合するための多重電極12,14を用いる従来の反応性イオンエッチング技術は、プラズマ増強のみのため誘導結合と組み合わせられる。該高周波数電力の第1の源16は、該電極の少なくとも1つに結合されて、従来の反応性イオンエッチングシステムで用いられた条件と同様の条件下でプラズマを生成し、且つ、高周波数電力の第2の源22は、前記プラズマを囲んでいる誘導コイル20と結合されて、チャンバー内の処理されるべきウエハに悪影響を与えることなく、プラズマ密度を高める。

Claim (excerpt)：

プロセス・ガスを真空チャンバーに導入するステップと;該チャンバー内の電極に高周波電力を印加して、それにより該チャンバー内で容量結合によってプラズマを確立するステップと;該プラズマを囲む(surrounding )誘導コイルに高周波電力を印加して、処理されるべき被加工物にダメージを与える可能性がある、純粋な磁場増強(pure magnetic field enhancemant )により誘起された不均一な電荷分布なしで、プラズマ密度を高めるステップとを含み;前記プラズマ密度を高めるために誘導コイルに印加された電力が、該プラズマを確立し維持するために電極に印加された電力より小さいことを特徴とする中間密度(medium density)プラズマ発生方法。

IPC (3)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (5)：

H05H 1/46 M , H05H 1/46 L , C23F 4/00 G , C23F 4/00 C , H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

誘導RF結合を用いたプラズマ加工装置とその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-169619 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
特開平2-096332
エッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-265380 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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