2軸半導体加速度センサおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999180185
Publication number (International publication number)：2001004658
Application date： Jun. 25, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】高感度の2軸半導体加速度センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】支持基板20上に互いに離間して形成された4つの支持部13で囲まれた領域内において支持基板20から支持基板20の厚み方向に離間して設けられた矩形板状の重り部12を備えている。各支持部13は、それぞれ1本のビーム11を介して重り部12を支持している。各ビーム11は、平面形状を互いにつづら折れ状に形成されたx軸方向撓み部11aおよびy軸方向撓み部11bを有している。ビーム11の厚さT1に対するビーム11の幅H1および重り部12の厚さ(上記ビーム11の幅H1に等しい)を、ビーム11の幅方向(z軸方向)の加速度成分による感度が上記x軸方向、上記y軸方向の加速度成分による感度よりも小さくなるように上記十分大きく設定している。

Claim (excerpt)：

支持基板と、支持基板上に形成された支持部と、支持基板から支持基板の厚み方向に離間して設けられ少なくとも2本のビームを介して支持部に支持された重り部と、重り部の外側面に対向して支持基板上に形成された静電容量形成用の固定電極とを備え、加速度を平面内の重り部の変位に応じた静電容量値の変化として固定電極を介して検出する2軸半導体加速度センサであって、ビームは、上記平面内において互いに直交するx軸方向およびy軸方向へそれぞれ可撓性を有するx軸方向撓み部およびy軸方向撓み部を有し、ビームの厚さに対するビームの幅および重り部の厚さは、上記x軸方向および上記y軸方向に直交するz軸方向の加速度成分による感度が上記x軸方向、上記y軸方向の加速度成分による感度よりも十分低くなる程度に大きく設定されてなることを特徴とする2軸半導体加速度センサ。

IPC (3)：

G01P 15/125 , G01P 15/00 , H01L 29/84

FI (3)：

G01P 15/125 , G01P 15/00 K , H01L 29/84 Z

F-Term (12)：

4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA24 , 4M112CA26 , 4M112CA31 , 4M112CA36 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA05 , 4M112DA18 , 4M112EA02 , 4M112EA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

力学量センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-274530 Applicant：日本電装株式会社
複合センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-159047 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
半導体センサの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-302648 Applicant：株式会社村田製作所

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