金属プラグおよび金属配線の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997037792
Publication number (International publication number)：1998233452
Application date： Feb. 21, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】配線間容量を増加させたり工程数を増加させたりすることなく、配線幅と接続孔の直径とを同等とすることができ、これによって配線の狭ピッチ化を図ることができる金属プラグおよび金属配線の形成方法を提供する。【解決手段】 Al合金配線1上にSiOx 系膜2を成膜した後、これをエッチングして接続孔3を形成する。全面にa-C膜4を成膜して接続孔3を埋め込んだ後、このa-C膜4を研磨して接続孔3内にa-Cプラグ5を形成する。SiOx 系膜2およびa-Cプラグ5上にSiOx 系膜6を成膜した後、これをエッチングしてa-Cプラグ5と重なるように配線溝7を形成する。この配線溝7の幅は接続孔3の直径と同一にする。a-Cプラグ5を除去した後、接続孔3と配線溝7とからなる空洞部にAl膜を埋め込んでデュアルダマシン配線8を形成する。

Claim (excerpt)：

基体上に第1の絶縁膜を形成した後、上記第1の絶縁膜に接続孔を形成する工程と、上記第1の絶縁膜と異なる材料で上記接続孔を埋め込む工程と、上記第1の絶縁膜および上記材料で埋め込まれた上記接続孔上に第2の絶縁膜を形成する工程と、上記第2の絶縁膜に少なくとも上記接続孔の一部と重なる配線溝を形成する工程と、上記接続孔に埋め込まれた上記材料を除去する工程と、上記接続孔および上記配線溝を金属で埋め込む工程とを有することを特徴とする金属プラグおよび金属配線の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/283

FI (2)：

H01L 21/90 B , H01L 21/283 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-111053 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-266274 Applicant：松下電器産業株式会社
多層配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-271399 Applicant：三菱電機株式会社

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