Pat

J-GLOBAL ID：200903046105070271

半導体装置およびその製造方法並びにその半導体装置製造用基板およびその製造方法。

Inventor： 倉知 俊介 ,  駒谷 務
Applicant, Patent owner： ユーディナデバイス株式会社
Agent (1)： 片山 修平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005096902
Publication number (International publication number)：2006278812
Application date： Mar. 30, 2005
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：

【課題】 高ドレイン電圧を印加したときに生じるコラプス現象を抑制し、高出力動作可能な半導体装置およびその製造方法並びにその半導体装置製造用基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板(11)上に形成されたGaN系半導体層(13)と、GaN系半導体層(13)の表面に形成された、珪素またはアルミニウムが化学量論的な組成比より多い窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムからなる絶縁膜(25)と、GaN系半導体層(13)上に形成されたゲート電極(18)と、ゲート電極(18)を挟んで形成されたソース電極(14)およびドレイン電極(16)と、を具備する半導体装置およびその製造方法並びにその半導体装置製造用基板およびその製造方法である。【選択図】 図5

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたGaN系半導体層と、 該GaN系半導体層の表面に形成された、珪素の組成比が窒素に対し0.85〜3.0の窒化珪素、珪素の組成比が酸素に対し0.6〜3.0の酸化珪素、並びに珪素の組成比が窒素および酸素に対し0.6〜3.0の酸化窒化珪素、のいずれか1つからなる絶縁膜と、 前記GaN系半導体層上に形成されたゲート電極と、 該ゲート電極を挟んで形成されたソース電極およびドレイン電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/778

FI (8)：

H01L29/80 Q ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/318 B ,  H01L29/50 J ,  H01L29/58 Z ,  H01L29/80 H

F-Term (55)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD17 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AF09 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045EE12 ,  5F045EH11 ,  5F045EH13 ,  5F058BB01 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF07 ,  5F058BF12 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL02 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-364405   Applicant：日本電気株式会社
• 化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-190006   Applicant：信越半導体株式会社
• 高電子移動度トランジスタ及び電力増幅器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-179544   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (2)

• 化合物半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-006970   Applicant：富士通株式会社
• ショットキーゲートFETおよびモノリシック型マイクロ波集積回路装置ならびにその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-030099   Applicant：三菱電機株式会社