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J-GLOBAL ID：200903046110114821

レジストパターンの形成方法

Inventor：
柴田 剛

About 柴田 剛


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001027765
Publication number (International publication number)：2001343757
Application date： Feb. 05, 2001
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】多層レジストパターンプロセスにおける、レジストパターンの寸法誤差の低減化、およびリワークプロセスの簡便化を実現すること。【解決手段】下層レジスト3上に上層レジストパターン4を形成する。次に下層レジスト3および上層レジストパターン4上に、上層レジストパターン4の凹部を埋め込み、かつ表面が平坦なポリシルセスキオキサン膜5を形成する。次にポリシルセスキオキサン膜5の全面をエッチングし、上層レジストパターン4の凹部にポリシルセスキオキサン膜5を選択的に残し、この残ったポリシルセスキオキサン膜5をマスクにして下層レジスト3上および上層レジストパターン4をエッチングし、多層レジストパターンを形成する。
Claim (excerpt)：
被加工基体上に第1の膜として下層レジストを形成する工程と、前記下層レジスト膜上に第2の膜として上層レジストを形成する工程と、前記上層レジストをパターニングして、上層レジストパターンを形成する工程と、キャスティング溶媒として水、アルコール、アニソールおよび脂肪族炭化水素系溶剤の少なくとも1つを含むものを使用し、キャスティング法により、前記上層レジストパターン上に第3の膜を形成する工程とを有することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (6)：
G03F 7/26 511 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205
FI (7)：
G03F 7/26 511 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/88 B
F-Term (46)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025DA11 ,  2H025FA28 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  2H096KA02 ,  2H096KA06 ,  2H096KA30 ,  2H096LA06 ,  5F004AA04 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB24 ,  5F004EA02 ,  5F004EA06 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033MM05 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ29 ,  5F033QQ31 ,  5F033RR04 ,  5F033RR23 ,  5F033SS22 ,  5F033XX15 ,  5F046LA18 ,  5F046NA01 ,  5F046NA17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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