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J-GLOBAL ID：200903046302793226

窒化物半導体の製造方法及び半導体ウエハ並びに半導体デバイス

Inventor：
藤倉 序章

About 藤倉 序章

, 
飯塚 和幸

About 飯塚 和幸


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003185486
Publication number (International publication number)：2005019872
Application date： Jun. 27, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：
【課題】高濃度のSiを添加せずに窒化物半導体の転位密度を1×108個/cm2以下とすることができる窒化物半導体の製造方法、並びにかかる方法により得られた残留Siによる汚染のない窒化物半導体を有する窒化物半導体ウエハ及び窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】基板上に少なくとも第1〜第3の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体の製造方法であって、第1の窒化物半導体層を400〜600°Cで成長させ、第1の窒化物半導体層を700〜1,300°Cで熱処理した後、第1の窒化物半導体層の上に700〜1,300°Cで第2及び第3の窒化物半導体層を成長させ、原料ガスとともに基板近傍へ供給するキャリアガスとして、第2の窒化物半導体層の成長時には水素を63体積%以上含有する水素/窒素混合ガスを使用し、第3の窒化物半導体層の成長時には窒素を50体積%以上含有する水素/窒素混合ガスを使用し、かつ第2の窒化物半導体層を1μmより厚く形成する方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上に少なくとも第1〜第3の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体の製造方法であって、前記第1の窒化物半導体層を400〜600°Cで成長させ、前記第1の窒化物半導体層を700〜1,300°Cで熱処理した後、前記第1の窒化物半導体層の上に700〜1,300°Cで前記第2及び第3の窒化物半導体層を成長させ、原料ガスとともに前記基板近傍へ供給するキャリアガスとして、前記第2の窒化物半導体層の成長時には水素を63体積%以上含有する水素/窒素混合ガスを使用し、前記第3の窒化物半導体層の成長時には窒素を50体積%以上含有する水素/窒素混合ガスを使用し、かつ前記第2の窒化物半導体層を1μmより厚く形成することを特徴とする方法。
IPC (2)：
H01L21/205 ,  H01L33/00
FI (2)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C
F-Term (32)：
5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF14 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA67 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F045EE13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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