3族窒化物半導体の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994286048
Publication number (International publication number)：1996125222
Application date： Oct. 25, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】結晶性の向上及び発光強度の向上【構成】発光ダイオード10はサファイア基板1を有し、その上に500 ÅのAlNのバッファ層2、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaNから成る高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約2.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N から成る高キャリア濃度n+ 層4、膜厚約0.5 μm、亜鉛及びSiドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N から成る発光層5、膜厚約1.0 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のマグネシウムドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N から成るp層6が形成されている。その後、p層6は有機金属ガスの供給を停止して、N2ガスだけを供給して、室温まで自然冷却した。この処理により層6をホール濃度 6×1017/cm3、抵抗率 2Ωcmにp型化できた。p伝導型の良質な結晶を得ることができたため、発光強度が向上した。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) の製造方法において、3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) の気相成長後に、温度が室温まで降下する前に、雰囲気ガスをH2ガス、NH3 ガス以外の不活性ガスに置換することを特徴とする3族窒化物半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

p型GaN系半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-162473 Applicant：三菱電線工業株式会社
特開昭56-045899
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-357046 Applicant：日亜化学工業株式会社

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