Pat

J-GLOBAL ID：200903046321680483

成膜処理方法及びその装置

Inventor： 李 秀樹 ,  米永 富廣
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992290786
Publication number (International publication number)：1994120146
Application date： Oct. 05, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 被処理体の周縁部及び裏面への成膜を防止すると共に、被処理体の表面上への成膜を均一に行うこと。【構成】 被処理体としてのウエハの表面上にウエハの周縁部を覆うと共にその外縁部がウエハの外方側に突出するようにリング体32を配設し、ウエハの表面へ処理ガスを供給すると共に、ウエハの裏面側からリング体の突出部分へ向けてパージガスを供給する。このパージガスは、ウエハの周縁部から外方側へ向けて通流するので、処理ガスはこのパージガスの通流によりウエハの周縁部及び裏面への周り込みが阻止され、ウエハの周縁部や裏面への成膜が防止される。またパージガスの通流は、処理ガスのウエハに対する均一な流れを妨げるものではないので、処理ガスによるウエハへの成膜は均一に行われる。

Claim (excerpt)：

被処理体の被処理面に処理ガスを供給して薄膜を形成する成膜処理方法において、前記被処理体の被処理面の周縁部を覆うようにリング体を配設すると共に、前記被処理体の前記被処理面の裏面側からパージガスを供給し、このパージガスのほぼ全部が被処理面の外方側を通過して排気されることを特徴とする成膜処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• CVD装置、マルチチャンバ方式CVD装置及びその基板処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-174896   Applicant：日電アネルバ株式会社
• 孔付きポンピングプレートを用いる堆積装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-282494   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-272478   Applicant：三菱電機株式会社