ドライエッチング方法及びドライエッチング装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997215320
Publication number (International publication number)：1999061453
Application date： Aug. 08, 1997
Publication date： Mar. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】エッチング処理工程を含む製造プロセスにおいて、基板表面の面内の不均一性やエッチング装置の特性に応じたエッチング処理速度の制御を行うことにより、均一な表面構造を実現する。【解決手段】上部電極14にはシャワーヘッド板17が固定されており、さらにその表面上の中央部分には絶縁性シールド18が貼着されている。絶縁性シールド18は厚さ2〜5mmのセラミック板で形成されている。この絶縁性シールドによって、下部電極13及び上部電極14の間に発生するプラズマの分布を制御することができるため、基板13の表面に対するエッチングレートの分布を変えることができる。

Claim (excerpt)：

対向する電極間にエッチングガスを導入し、電極間に高周波電圧を印加することによって前記エッチングガスを励起し、一方の前記電極上に配置された基板の表面をエッチングするドライエッチング方法において、他方の前記電極と前記基板との間に選択的に介在する絶縁性シールドを配置して処理することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (2)：

C23F 4/00 D , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭61-291983
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-259860 Applicant：日本電気株式会社
特開昭56-069374

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