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J-GLOBAL ID:200903046408406132

BaLiF3単結晶体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007262268
Publication number (International publication number):2009091185
Application date: Oct. 05, 2007
Publication date: Apr. 30, 2009
Summary:
【課題】BaLiF3単結晶体を融液成長法で製造した際に、結晶中心部と周辺部で真空紫外光の透過率が異なりやすいという問題を解決し、真空紫外光透過用の光学部材を作製するための原材料として用いることの可能な、光透過率の均一性に優れたBaLiF3単結晶体の製造方法を提供する。【解決手段】BaF2とLiFとKFとからなり、これらの含有比率がモル基準で、Li/(Ba+Li+K)が0.52〜0.65の範囲にあり、かつK/(Ba+K)が0.002〜0.040の範囲にある原料溶融液を用いてBaLiF3単結晶体を育成する。得られる単結晶体は、通常、K/(Ba+K)が0.001〜0.010の範囲でKを含む。【選択図】図2
Claim (excerpt):
融液成長法によって、真空紫外光透過用光学部材を作製するための原材料として用いるBaLiF3単結晶体を製造する方法であって、原料溶融液として、BaF2とLiFとKFとからなり、これらの含有比率がモル基準で、Li/(Ba+Li+K)が0.52〜0.65の範囲にあり、K/(Ba+K)が0.002〜0.040の範囲にある原料溶融液を用いることを特徴とする前記BaLiF3単結晶体の製造方法。
IPC (4):
C30B 29/12 ,  C30B 15/04 ,  C01F 11/22 ,  G02B 1/02
FI (4):
C30B29/12 ,  C30B15/04 ,  C01F11/22 ,  G02B1/02
F-Term (19):
4G076AA05 ,  4G076AA18 ,  4G076AB04 ,  4G076BA17 ,  4G076BB04 ,  4G076BB05 ,  4G076CA34 ,  4G076DA11 ,  4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE02 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077EB05 ,  4G077EC10 ,  4G077HA01 ,  4G077PB01 ,  4G077PB05 ,  4G077PB14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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