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J-GLOBAL ID：200903046426219633

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
ゾ ソック ワン

About ゾ ソック ワン


Applicant, Patent owner：
エルジー セミコン カンパニー リミテッド

About エルジー セミコン カンパニー リミテッド


Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998322109
Publication number (International publication number)：1999214704
Application date： Nov. 12, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタを円柱状に形成して狭い面積でもチャネル領域の幅を極大化してオン電流を増加させることにより、素子の特性を改善させるのに適した薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 薄膜トランジスタは、基板31上に形成されたソース電極33と、前記ソース電極33に連結された柱状の伝導層39と、前記伝導層39上に形成されたドレイン電極39aと、前記伝導層39及びドレイン電極39aを覆うように形成されたゲート絶縁膜41と、前記伝導層39を覆うゲート絶縁膜41上に形成されたゲート電極43aと、前記ソース電極33とゲート電極43aとの間に形成された絶縁膜35とを備えることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に形成されたソース電極と、前記ソース電極に接続され、同ソース電極から上方に延びる柱状の伝導層と、前記伝導層上に形成されたドレイン電極と、前記伝導層及びドレイン電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記伝導層を覆うゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ソース電極とゲート電極との間に形成された絶縁膜と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (2)：
H01L 29/78 626 A ,  H01L 29/78 617 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-247718   Applicant：三菱電機株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-181533   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-051353   Applicant：株式会社日立製作所
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