半導体装置およびその作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998082949
Publication number (International publication number)：1999261076
Application date： Mar. 13, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】アルミニウムでなるゲート配線を用いた絶縁ゲート型トランジスタに、サリサイド工程によってシリサイド層を形成する。【解決手段】ゲート電極2000は、ゲート絶縁膜1300に接して形成された金属層2110と、アルミニウム層2200との積層導電膜を有し、これらの積層導電膜は金属層2110の側面に形成された金属層の及びアルミニウム層2200表面を陽極酸化したアルミナ層を有する。この構成により、上記の積層導電膜はそれぞれの陽極酸化物層2110、2210で被覆される。金属層2110はアルミニウムよりも融点が高い金属材料で形成されるため、ゲート絶縁膜1300にアルミニウムが拡散されることを防止するバリア層として機能する。よってゲート電極2000形成以後に500〜650°Cでの加熱が可能になり、サリサイド工程によってシリサイド層1111、1121を形成できる。

Claim (excerpt)：

同一基板上に形成された複数の絶縁ゲート型トランジスタで構成された半導体回路を含む半導体装置であって、前記絶縁ゲート型トランジスタは、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有するシリコンを主成分とする活性層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、前記ソース領域に電気的に接続されたソース電極と、前記ドレイン領域に電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜に密接して形成され、アルミニウムよりも融点が高く陽極酸化可能な金属材料を主成分とする金属層と、前記金属層の側面に形成された前記金属材料の陽極酸化層と、前記金属層上に接して形成されたアルミニウム層またはアルミニウムを主成分とする材料層と、前記アルミニウム層またはアルミニウムを主成分とする材料層の表面に形成されたアルミニウムを陽極酸化したアルミナ層と、を有し、前記ソース領域、前記ドレイン領域には、少なくとも前記ソース電極、前記ドレイン電極との接続部にシリサイド層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6)：

H01L 29/78 617 L , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 616 U , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 616 J , H01L 29/78 617 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-270398 Applicant：セイコーエプソン株式会社
薄膜状半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-285988 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-172711 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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