薄膜半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995270398
Publication number (International publication number)：1997116161
Application date： Oct. 18, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】一回のイオンドーピングによって製造可能な薄膜半導体装置であって、オフリーク電流を抑制し、オン電流の減少を抑えた薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】ガラス基板10上にポリシリコン薄膜20とゲート絶縁膜40を形成し、その上にタンタルゲート電極51と陽極酸化タンタル膜52、53とを形成する。その上にタンタルゲート電極51よりも幅広のアルミニウムゲート電極72を形成し、その表面を陽極酸化アルミニウム膜81、82、83で覆う。上面よりイオンドーピング法により燐イオンを導入して、ポリシリコン薄膜20にn+ ドレイン領域23、n- ドレイン領域22を形成する。オフセットゲート構造のn+ ドレイン領域23によりオフリーク電流を抑制し、n- ドレイン領域22によりオン電流の減少を抑制する。アルミニウムゲート電極72の突出部の下に誘起される電気的n- 領域26によりオン電流の減少を抑制する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成された半導体薄膜と、前記半導体薄膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記半導体薄膜にそれぞれ形成されたソース領域およびドレイン領域と、を備える薄膜半導体装置において、前記ゲート電極が、前記ゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極上に形成された第2のゲート電極とを備え、前記第2のゲート電極が、前記第1のゲート電極の直上に前記第1のゲート電極と接して設けられた第1の副ゲート電極と、前記第1のゲート電極の前記ドレイン領域側の端部の位置から前記ドレイン領域側に第1の所定の距離突出して設けられた第2の副ゲート電極とを少なくとも有し、前記ドレイン領域が、前記第1のゲート電極の前記ドレイン領域側の前記端部から第2の所定の距離離間して設けられていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 617 L , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

アクティブマトリックス型液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-033654 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平3-003247
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-025800 Applicant：株式会社東芝

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