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J-GLOBAL ID：200903046465379796

シリコ-ンエラストマ-による低分子量シロキサン流体の増粘法

Inventor：
デビッド ランデール メインハード

About デビッド ランデール メインハード

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シズホン ザン

About シズホン ザン


Applicant, Patent owner：
ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション

About ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション


Agent (1)： ウオーレン・ジー・シミオール
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999029988
Publication number (International publication number)：1999310637
Application date： Feb. 08, 1999
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：
【要約】【目的】 低分子量のシロキサン流体をシリコーンエラストマーで膨潤することによる増粘法を提供することである。【構成】 そのシリコーンエラストマーは、≡Si-H含有シロキサンとα、ω-ジエンのような不飽和炭化水素を、低分子量のシロキサン流体の存在下で架橋反応させることによって作られる。≡Si-H含有シロキサンは、最初にモノアクリレート官能化ポリエーテル又はモノメタクリレート官能化ポリエーテルと部分的に反応させる。それは、次に低分子量のシロキサン流体の存在下でα、ω-ジエンによって架橋される。ポリエーテル基をもつエラストマー、即ち、ゲルが生成される。エラストマー・ゲルは剪断力下で低分子量のシロキサン流体で膨潤されて均一なシリコーンペーストを提供できる。そのシリコーンペーストは、摩擦時に優れた塗布性を有し、ユニークなレオロジーの性質を有する。そのシリコーンペーストは、一般に非混和性材料を十分に混合するようにする界面活性剤を使用することなく、水で容易に乳化されて安定で均一なエマルションを形成する。
Claim (excerpt)：
次の第1の工程(1)と第2の工程(2)からなることを特徴とするシリコーンエラストマーの製造法:(1)(A)式R3SiO(R′2SiO)a(R′′HSiO)bSiR3又は式(R′2SiO)d(R′′HSiO)eの≡Si-Hを含有するポリシロキサン、および任意に、式HR2SiO(R′2SiO)cSiR2Hの≡Si-Hを含有するポリシロキサン又は式HR2SiO(R′2SiO)a(R′′HSiO)bSiR2Hの≡Si-Hを含有するポリシロキサン〔式中のR、R′およびR′′は炭素原子数が1〜6のアルキル基、aは0〜250であり、bは1〜250であり、cは0〜250であり、dは0〜10であり、eは3〜10である〕;および(B)式CH2=CHCOO〔CH2CH2O〕m〔CH2CH(CH3)O〕n〔CH2CH(CH2CH3)O〕pTのモノアクリレート官能化ポリエーテル又は式CH2=C(CH3)COO〔CH2CH2O〕m〔CH2CH(CH3)O〕n〔CH2CH(CH2CH3)O〕pTのモノメタクリレート官能化ポリエーテル〔式中のTは水素;C1〜C30線状又は枝分れ鎖アルキル基、アリール基又はC1〜C20アシル基を表し;m、nおよびpはそれぞれ0、又は1〜100の値を有する整数を表する〕を、白金触媒の共存下で、ポリエーテル置換基および残留水素化ケイ素基を含有するポリシロキサンが形成されるまで反応させる第1の工程;および(2)(C)ポリエーテル置換基および残留水素化ケイ素基を含有するポリシロキサン;および(D)式CH2=CH(CH2)xCH=CH2のα、ω-ジエン、式CH≡C(CH2)xC≡Cのα、ω-ジエンおよび式CH2=CH(CH2)xC≡CHのα、ω-ジエンからなる群から選択された不飽和炭化水素〔式中のxは1〜20である〕又は2つ以上の末端アルケニル基;2つ以上のアルケニル側基;又は2つ以上の末端基および側基を含有する不飽和シロキサン単量体又はシロキサン重合体からなる成分を;(E)(i)有機化合物、(ii)ケイ素原子を含有する化合物、(iii)有機化合物の混合体、(iv)ケイ素原子を含有する化合物の混合体、および(v)有機化合物およびケイ素原子を含有する化合物の混合体からなる群から選んだ溶媒の存在下;および白金触媒の存在下で、シリコーンエラストマーが、不飽和炭化水素における二重結合又は三重結合にまたがる≡Si-Hの架橋および付加によって形成されるまで反応させる第2の工程。
IPC (2)：
C08G 77/46 ,  C09D183/10
FI (2)：
C08G 77/46 ,  C09D183/10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (13)
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