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J-GLOBAL ID：200903046788962652
シリコン半導体基板
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000087666
Publication number (International publication number)：2001274165
Application date： Mar. 27, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、基板表面あるいは基板表層の欠陥を除去し、デバイス作製時における新たな欠陥発生の無いデバイス歩留の高いシリコン半導体基板及びその安価で生産性の高い製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 チョクラルスキー法又は磁場印加チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶から得たシリコン半導体基板であって、該シリコン半導体基板の厚み中心における窒素含有量が1×1014atoms/cm3以上2×1016atoms/cm3以下で、炭素含有量が5×1015atoms/cm3以上3×1016atoms/cm3以下であり、又は、窒素含有量が1×1013atoms/cm3以上2×1016atoms/cm3以下で、炭素含有量が3×1016atoms/cm3以上1×1018atoms/cm3以下であり、かつ、基板表面から1μmの深さの酸素濃度が基板厚み中心の酸素濃度の10%以下であることを特徴とするシリコン半導体基板である。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法又は磁場印加チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶から得たシリコン半導体基板であって、該シリコン半導体基板の厚み中心における窒素含有量が1×1014atoms/cm3以上2×1016atoms/cm3以下で、炭素含有量が5×1015atoms/cm3以上3×1016atoms/cm3以下であり、又は、窒素含有量が1×1013atoms/cm3以上2×1016atoms/cm3以下で、炭素含有量が3×1016atoms/cm3以上1×1018atoms/cm3以下であり、かつ、基板表面から1μmの深さの酸素濃度が基板厚み中心の酸素濃度の10%以下であることを特徴とするシリコン半導体基板。
IPC (3)：
H01L 21/322
, C30B 29/06
, H01L 21/208
H01L 21/322 Y
, C30B 29/06 A
, H01L 21/208 P
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077HA12
, 5F053AA12
, 5F053AA14
, 5F053DD01
, 5F053FF04
, 5F053GG01
, 5F053KK07
, 5F053KK10
, 5F053PP03
, 5F053RR03
