シリコン単結晶インゴット、その製造方法およびシリコンウェーハの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：波多野久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000008007
Publication number (International publication number)：2001199794
Application date： Jan. 17, 2000
Publication date： Jul. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体デバイスの酸化膜耐圧特性を向上させ、半導体デバイスの歩留を向上させることができるシリコン単結晶インゴット、その製造方法およびシリコンウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】ポリシリコン7に窒素Nおよび炭素Cをドープしたシリコン融液7からチョクラルスキー法を用いて引上げられ、その窒素濃度が1×1013〜5×1015atoms/cm3、炭素濃度が5×1015〜3×1016atoms/cm3であるシリコン単結晶インゴット。また、その製造方法およびシリコンウェーハの製造方法。

Claim (excerpt)：

ポリシリコンに窒素および炭素をドープしたシリコン融液からチョクラルスキー法を用いて引上げられ、その窒素濃度が1×1013〜5×1015atoms/cm3、炭素濃度が5×1015〜3×1016atoms/cm3であることを特徴とするシリコン単結晶インゴット。

IPC (6)：

C30B 29/06 502 , C30B 29/06 , C30B 15/04 , H01L 21/02 , H01L 21/208 , H01L 21/304 611

FI (6)：

C30B 29/06 502 H , C30B 29/06 C , C30B 15/04 , H01L 21/02 B , H01L 21/208 P , H01L 21/304 611 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

エピタキシャルシリコン基板及び固体撮像装置並びにこれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-064781 Applicant：ソニー株式会社
特開昭60-140716
特開平3-218995

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