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J-GLOBAL ID：200903087992116432

シリコン単結晶、シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ

Inventor： 浅山 英一 ,  梅野 繁 ,  宝来 正隆 ,  小池 康夫 ,  定光 信介 ,  末岡 浩治 ,  片浜 久
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 森 道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999083424
Publication number (International publication number)：2000272995
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】煩雑な工程を必要とせず、高いゲッタリング能力を発揮することができる。【解決手段】(1) 窒素を1×1012atoms/cm3以上、かつ炭素を0.1〜5×1016atoms/cm3または/およびボロンを1×1017atoms/cm3以上ドープして育成されることを特徴とするエピタキシヤルウェーハ用に適したシリコン単結晶である。(2) 上記シリコン単結晶から切り出して作製されるシリコンウェーハと、このウェーハの表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハである。このエピタキシャルウェーハは、エピタキシャル成長処理ののち1100°C以上の温度を含むデバイスプロセスに適用する場合に、酸素濃度が12×1017atoms/cm3以上にすること、さらに、窒素をドープして育成されたシリコン単結晶から切り出され、1000°C以上の熱処理後に断面にて1×104個/cm2以上の欠陥を発生するようにするのが望ましく、エピタキシャル成長前で1000°C以上の熱処理を施した場合に5×104個/cm2以上の欠陥が発生するウェーハを用いることが望ましい。

Claim (excerpt)：

窒素を1×1012atoms/cm3以上、かつ炭素を0.1〜5×1016atoms/cm3ドープして育成されることを特徴とするエピタキシヤルウェーハ用に適したシリコン単結晶。

IPC (3)：

C30B 29/06 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/208

FI (3)：

C30B 29/06 A ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/208 P

F-Term (14)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077FC04 ,  4G077GA01 ,  5F053AA12 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053KK03 ,  5F053KK10 ,  5F053PP08 ,  5F053PP12 ,  5F053RR03 ,  5F053RR20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• シリコン単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-128062   Applicant：信越半導体株式会社
• 薄膜エピタキシャルウェ-ハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-026105   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• エピタキシャルシリコン基板及び固体撮像装置並びにこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-064781   Applicant：ソニー株式会社
• シリコン半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-080222   Applicant：新日本製鐵株式会社