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J-GLOBAL ID：200903046869534906

半導体デバイスの層間接続の形成方法及び装置

Inventor：
松下 清広

About 松下 清広

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小原 直城

About 小原 直城

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ナータナエル・レイモンド・グレーチェン・ケーメリング

About ナータナエル・レイモンド・グレーチェン・ケーメリング


Applicant, Patent owner：
日本エー・エス・エム株式会社

About 日本エー・エス・エム株式会社


Agent (2)： 竹内 澄夫 ,  堀 明▲ひこ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005353131
Publication number (International publication number)：2006165573
Application date： Dec. 07, 2005
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：
【課題】半導体の多層配線技術において、下層のlow-k膜に影響を与えないように、UVキュア処理を実行する方法を与える。【解決手段】プラズマCVD装置を使って、半導体基板上に膜の多層接続構造を形成する方法は、低誘電率膜を基板上に形成する工程と、該低誘電率膜にUV(紫外線)を照射してキュアする工程と、UVブロッキング膜を積層する工程と、次の低誘電率膜を積層する工程と、該次の低誘電率膜にUVを照射してキュアする工程と、から成る。ここで、上記UVブロッキング膜は照射するUVの波長に対する消衰係数が0.2以上である。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
プラズマCVD装置を使って、半導体基板上に膜の多層接続構造を形成する方法であって、 前記半導体基板上に第1低誘電率膜を堆積する工程と、 前記第1低誘電率膜に所定の波長の紫外線(UV)を照射してキュアする工程と、 前記第1低誘電率膜の上にUVブロッキング膜を堆積する工程と、 前記UVブロッキング膜の上に第2低誘電率膜を堆積する工程と、 前記第2低誘電率膜に所定の波長のUVを照射してキュアする工程と、 から成る方法。
IPC (8)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/42
FI (9)：
H01L21/312 C ,  H01L21/90 A ,  H01L21/90 J ,  H01L21/314 M ,  H01L21/318 M ,  H01L21/31 Z ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 M ,  C23C16/42
F-Term (57)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA37 ,  4K030BA40 ,  4K030BA41 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA03 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F045AB32 ,  5F045AB39 ,  5F045AC07 ,  5F045CB05 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF02 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC20 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD18 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 米国特許第6,759,098号
  • 米国特許第6,296,909号
Cited by examiner (3)

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