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J-GLOBAL ID：200903046881362886

半導体ウェハ用研磨パッドの加工方法及び半導体ウェハ用研磨パッド

Inventor：
志保 浩司

About 志保 浩司

, 
長谷川 亨

About 長谷川 亨

, 
川橋 信夫

About 川橋 信夫


Applicant, Patent owner：
JSR株式会社

About JSR株式会社


Agent (2)： 小島 清路 ,  谷口 直也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002231943
Publication number (International publication number)：2004071985
Application date： Aug. 08, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：
【課題】溝部の表面粗さが小さく、更には寸法精度が高い溝を形成することができる半導体ウェハ用研磨パッドの加工方法及び半導体ウェハ用研磨パッドを提供する。【解決手段】本発明の加工方法では、架橋重合体を含有する非水溶性マトリックスと、この非水溶性マトリックス中に分散された水溶性粒子とを有する半導体ウェハ用研磨パッドの研磨面側に表面粗さが20μm以下の溝を形成する。また、切削加工により溝を形成することが好ましい。更に、吸引孔を有する加工テーブルの一面側に半導体ウェハ用研磨パッドを載置し、加工テーブルの他面側から吸引してパッドを加工テーブルの一面側に吸着させて固定した後、溝を形成することがより好ましい。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
架橋重合体を含有する非水溶性マトリックスと、該非水溶性マトリックス中に分散された水溶性粒子とを有する半導体ウェハ用研磨パッドの研磨面側に表面粗さが20μm以下の溝を形成することを特徴とする半導体ウェハ用研磨パッドの加工方法。
IPC (3)：
H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C08J5/14
FI (3)：
H01L21/304 622F ,  B24B37/00 C ,  C08J5/14
F-Term (13)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  4F071AA12 ,  4F071AA15X ,  4F071AA28X ,  4F071AA76 ,  4F071AH17 ,  4F071DA06 ,  4F071DA13 ,  4F071DA17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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