単結晶基板及び単結晶基板の製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002126759
Publication number (International publication number)：2003321300
Application date： Apr. 26, 2002
Publication date： Nov. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】高精度でストライプ状の微細構造物が設置され、デバイスや光学素子を安定して作動させる単結晶基板を安価に提供する。【解決手段】単結晶板100に、結晶軸より所定角度だけ傾いた平面を形成した後に平坦化処理を行なう。平坦化処理によって、単結晶板100にステップ102、102、...及びテラス101、101、...からなるステップ構造を形成後、微細構造物前駆体の蒸着によって帯状の微細構造物をステップ102、102、...周辺に形成する。微細構造物の間隔は、上記平面の結晶軸に対する角度で制御する。また、微細構造物の幅は上記蒸着の条件設定によって制御される。

Claim (excerpt)：

単結晶板及び前記単結晶板上に等間隔に設置され、ストライプ状に形成された微細構造物を備えて形成される単結晶基板であって、前記単結晶板は、前記単結晶板の結晶軸より所定角度傾けて形成された平面に平坦化処理を経て形成されるテラス及びステップからなるステップ構造を表面部に有すると共に、前記微細構造物は前記単結晶板上に前記微細構造物の前駆体を蒸着して形成されることを特徴とする単結晶基板。

IPC (3)：

C30B 33/02 , H03H 3/08 , H03H 9/25

FI (3)：

C30B 33/02 , H03H 3/08 , H03H 9/25 C

F-Term (14)：

4G077AA02 , 4G077BB01 , 4G077DA02 , 4G077FE07 , 4G077FE11 , 4G077HA11 , 5J097AA28 , 5J097BB11 , 5J097EE01 , 5J097FF03 , 5J097FF04 , 5J097GG06 , 5J097HA01 , 5J097HA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

量子素子及びその作製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-035966 Applicant：日本電子株式会社
機能素子の製造方法および機能素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-252841 Applicant：ティーディーケイ株式会社
量子ドット結晶成長装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-109652 Applicant：松下電器産業株式会社

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