量子素子及びその作製法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：蛭川昌信 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998035966
Publication number (International publication number)：1999233751
Application date： Feb. 18, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】短時間で結晶化された精度の良い極微細な線を精度良く作製することを可能にする。【解決手段】基板材料を熱処理して所定の面方位から傾斜した所定幅のテラスのマルチステップを形成する段階、マルチステップを形成した前記基板材料を温度制御し、自己組織化機能により前記ステップに沿って金属を蒸着成長させる段階からなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

所定の面方位から傾斜した基板材料に形成された所定幅のテラスのマルチステップに沿って量子細線が形成された量子素子。

IPC (3)：

H01L 29/06 , C30B 25/02 , H01L 21/203

FI (3)：

H01L 29/06 , C30B 25/02 Z , H01L 21/203 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体エピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-044496 Applicant：松下電器産業株式会社
微細構造材料の製造方法並びにその製造装置、および微細構造を有する発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-230073 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平4-154114

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