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J-GLOBAL ID：200903013846110550

機能素子の製造方法および機能素子

Inventor： 佐藤 慶一 ,  六本木 哲也 ,  中川 準 ,  吉本 護
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000252841
Publication number (International publication number)：2002074654
Application date： Aug. 23, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 互いに孤立した微小な磁性体が記録ビットを構成するパターンド媒体において、極めて微小でかつ形状の揃った孤立磁性体を設けることにより、高記録密度を実現すると共に、孤立磁性体の特性ばらつきを軽減する。また、上記孤立磁性体と同様に極めて微小でかつ形状の揃った機能体を備える機能素子を提供する。【解決手段】 単結晶からなる基板上に、機能性材料から構成される孤立機能体を少なくとも1つ有する機能素子を製造する方法であって、線状機能体を形成する工程と、この線状機能体の一部を除去することにより、この線状機能体の長軸方向を短縮して前記孤立機能体を形成する工程とを有する機能素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板上に、機能性材料から構成される孤立機能体を少なくとも1つ有する機能素子を製造する方法であって、線状機能体を形成する工程と、この線状機能体の一部を除去することにより、この線状機能体の長軸方向を短縮して前記孤立機能体を形成する工程とを有する機能素子の製造方法。

IPC (9)：

G11B 5/855 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/39 ,  G11B 5/65 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/34 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01F 10/20

FI (9)：

G11B 5/855 ,  G11B 5/31 C ,  G11B 5/39 ,  G11B 5/65 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/34 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  H01F 10/20

F-Term (31)：

5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5D006CB04 ,  5D006CB07 ,  5D006DA04 ,  5D006EA02 ,  5D033BA07 ,  5D033BA51 ,  5D033DA01 ,  5D033DA05 ,  5D033DA07 ,  5D033DA31 ,  5D034BA02 ,  5D034BA16 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07 ,  5D112AA02 ,  5D112AA05 ,  5D112AA16 ,  5D112BA02 ,  5D112BA04 ,  5D112BA09 ,  5D112BB01 ,  5D112FA09 ,  5E049AB03 ,  5E049AB09 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049DB04 ,  5E049DB10 ,  5E049HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

• 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-021534   Applicant：日本ビクター株式会社
• 量子素子及びその作製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-035966   Applicant：日本電子株式会社
• 特表平7-504784
  
• 半導体メモリセルのキャパシタ構造およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-342948   Applicant：エルジーセミコンカンパニーリミテッド
• 磁気記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-132624   Applicant：日本電気株式会社
• 薄膜磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-026176   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 化合物半導体の結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-338881   Applicant：日本電気株式会社
• 磁気ディスク、磁気ディスクの製造方法、及び磁気記録装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-191846   Applicant：株式会社東芝
• ナノグラニュラー磁性薄膜用基板、その製造方法及びナノグラニュラー磁性薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-260325   Applicant：住友金属工業株式会社
• 特開平4-154114
  
• 特開昭63-268087
  
• 特開平3-203840
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Feナノワイヤーアレイの作製と磁気抵抗効果