絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：岡戸昭佳 , 富澤孝 , 山中郁生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003375098
Publication number (International publication number)：2005142243
Application date： Nov. 05, 2003
Publication date： Jun. 02, 2005
Summary：

【課題】高耐圧化と低オン抵抗化とを両立させ,簡便に作製することができる絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置300は,N+ ソース領域31,N+ ドレイン領域11,P- ボディ領域41およびN- ドリフト領域12を備えている。また,半導体装置300の上面側の一部を掘り込むことで形成されたトレンチ21,25が設けられている。トレンチ21には,ゲート電極22が内蔵されている。トレンチ21とトレンチ25とはその深さが異なっている。そして,トレンチ21の下方にはPフローティング領域51が,トレンチ25の下方にはPフローティング領域54がそれぞれ設けられている。【選択図】図14

Claim (excerpt)：

半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下面と接し第2導電型半導体であるドリフト領域と,半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通しその底部が前記ボディ領域の下面より下方に位置するトレンチ部とを有する絶縁ゲート型半導体装置において, 前記ドリフト領域に囲まれるとともに第1導電型半導体であるフローティング領域を有し, 前記トレンチ部の底部は,前記フローティング領域内に位置し, 前記トレンチ部内には, 絶縁物を堆積してなる堆積絶縁層と, 前記堆積絶縁層上に位置し,前記ボディ領域と対面するゲート電極とが形成されており, 前記堆積絶縁層の上端は,前記フローティング領域の上端よりも上方に位置することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (1)：

H01L29/78

FI (5)：

H01L29/78 652H , H01L29/78 652F , H01L29/78 652N , H01L29/78 653A , H01L29/78 655A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

絶縁ゲート半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-331321 Applicant：関西電力株式会社, 株式会社日立製作所
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-293966 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (5)

特許第6194741号
高耐圧半導体装置及びこの装置を用いた電力変換器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-237511 Applicant：関西電力株式会社, 株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-333422 Applicant：トヨタ自動車株式会社

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