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J-GLOBAL ID：200903047034515397

半導体装置及びその駆動方法

Inventor：
加藤 有光

About 加藤 有光


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000122040
Publication number (International publication number)：2001308286
Application date： Apr. 24, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：
【要約】【課題】 漏れ電流の発生を抑制しながらも、2つの電極に挟まれた絶縁層をトンネルする電流発生時における電極間への印加電圧を従来に比して低下させ、絶縁層の劣化を抑制できる半導体装置、及び該半導体装置の駆動方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、絶縁体と、この絶縁体を挟む少なくとも2つの電極1、2とを備えており、絶縁体は、電極1に隣接する第1領域3と該第1領域3よりも誘電率が高い第2領域4とを有している。これにより、メモりに用いた場合、漏れ電流を抑制して蓄積電荷を長時間保持し、また、書込み等の駆動時には従来技術に比して電荷のエネルギーが小さい状態で第1領域に電子が流れ、第1領域の劣化が極めて小さい構造が得られる。
Claim (excerpt)：
絶縁体と、該絶縁体を挟む少なくとも2つの電極とを備え、前記絶縁体は、前記電極の一方に隣接する第1領域と該第1領域よりも誘電率が高い第2領域とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (9)：
H01L 27/10 451 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  G02F 1/136 505 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
F-Term (47)：
2H092JA03 ,  2H092JA23 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB57 ,  2H092KA03 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA12 ,  2H092MA25 ,  2H092NA22 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  5F001AA01 ,  5F001AB02 ,  5F001AC06 ,  5F001AF06 ,  5F038AC02 ,  5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ20 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP42 ,  5F083EP54 ,  5F083EP55 ,  5F083ER02 ,  5F083ER16 ,  5F083GA21 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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