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J-GLOBAL ID：200903000068243730

ダイヤモンド製造方法

Inventor：
山田 英明

About 山田 英明

, 
茶谷原 昭義

About 茶谷原 昭義

, 
杢野 由明

About 杢野 由明

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堀野 裕治

About 堀野 裕治

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鹿田 真一

About 鹿田 真一


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006162256
Publication number (International publication number)：2007331955
Application date： Jun. 12, 2006
Publication date： Dec. 27, 2007
Summary：
【課題】マイクロ波プラズマCVD法によってダイヤモンド基板上にダイヤモンド単結晶を成長させる際に、ダイヤモンドの成長面の形状(モフォロジー)を簡単に制御できる方法を提供する。【解決手段】基板支持体7が、基板載置面7aの周囲に基板囲繞部7bを備えた導電性材料からなる支持体7であって、基板囲繞部7bを含む基板支持体7は一体であるか又は基板囲繞部の天面7dから所定厚み部分が分離可能とされた構造であり、基板囲繞部の天面を含む部材7bの厚さを調整することによって、ダイヤモンド成長面の形状を制御してダイヤモンド成長を行うダイヤモンド製造方法、並びに、基板載置面7aの周囲に基板囲繞部7bを備えた導電性材料からなる基板支持体7であって、基板囲繞部7bを含む基板支持体7は一体であるか又は天面7dから所定厚み部分が分離可能とされた構造であるダイヤモンド製造用基板支持体7。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
マイクロ波プラズマCVD法によって、ダイヤモンド基板上にダイヤモン繞ド結晶を成長させる方法において、 CVD装置内に設置する基板支持体が、基板載置面の周囲に基板囲繞部を備えた導電性材料からなる支持体であって、該基板囲繞部を含む基板支持体は一体であるか又は基板囲繞部の天面から所定厚み部分が分離可能とされた構造であり、 該基板囲繞部の天面を含む部材の厚さを調整することによって、ダイヤモンド成長面の形状を制御してダイヤモンド成長を行うことを特徴とするダイヤモンド製造方法。
IPC (4)：
C30B 29/04 ,  C23C 16/458 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/205
FI (4)：
C30B29/04 E ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205
F-Term (35)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB01 ,  4G077DB19 ,  4G077EG03 ,  4G077EG04 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA12 ,  4G077TB07 ,  4G077TF01 ,  4G077TF02 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ05 ,  5F045EM02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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