Pat
J-GLOBAL ID：200903047303814584

III-V族窒化物系半導体基板及びその製造方法

Inventor：
柴田 真佐知

About 柴田 真佐知


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003356699
Publication number (International publication number)：2005101475
Application date： Oct. 16, 2003
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：
【課題】 低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII-V族窒化物系半導体の自立基板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 周囲とキャリア濃度の異なる領域が基板表面とほぼ垂直な方向に複数存在する第一の層と、表面から少なくとも10μmの深さまでの第二の層とからなり、第二の層には前記キャリア濃度の異なる領域が実質的に形成されておらず、もってキャリア濃度分布が実質的に均一である自立したIII-V族窒化物系半導体基板。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
自立したIII-V族窒化物系半導体基板であって、少なくとも基板の最表面ではキャリア濃度分布が実質的に均一であることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体基板。
IPC (1)：
H01L21/205
FI (1)：
H01L21/205
F-Term (10)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA57 ,  5F045DA67
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM