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J-GLOBAL ID：200903019326633826

窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたn型窒化ガリウム単結晶基板

Inventor： 元木 健作 ,  上野 昌紀
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002103723
Publication number (International publication number)：2002373864
Application date： Apr. 05, 2002
Publication date： Dec. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】 酸素をn型ドーパントとして取り込むことができる窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。【解決手段】 C面以外の面を表面(上面)にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらC面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。または、C面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらC面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をc軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。

Claim (excerpt)：

Si化合物を含まずガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しつつ、C面以外の一定方位の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより、当該C面以外の面を通して結晶中に酸素ドーピングを行うことを特徴とする窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34

FI (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34

F-Term (17)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA20 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030EA01 ,  4K030LA18 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045CA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化物系半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-212131   Applicant：三洋電機株式会社