スーパールミネッセントダイオード

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：樺山亨 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995085660
Publication number (International publication number)：1996288543
Application date： Apr. 11, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】2次元アレイ化が可能な高出力のスーパールミネッセントダイオードを提供する。【構成】本発明によるスーパールミネッセントダイオードは、第1導電型半導体基板101と、該基板上に順次エピタキシャル成長された第1導電型クラッド層102,活性層103,第2導電型クラッド層104,第2導電型コンタクト層105と、コンタクト層105及び基板101の裏面にそれぞれ形成された電極106,107と、該基板101と水平方向にストライプ状に形成された励起領域を備え、さらに素子端部に備えた45度反射鏡109により、基板平面に対して上方向(または下方向)に光を放射する曲り導波路構造を備えており、基板平面と平行な光取り出し面に反射防止コーティング108が施された構成となっている。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板と、該基板上に順次エピタキシャル成長された第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層,第2導電型コンタクト層と、コンタクト層及び基板裏面にそれぞれ形成された電極と、該基板と水平方向にストライプ状に形成された励起領域を備え、さらに素子端部に備えた45度反射鏡により、基板平面に対して上方向に光を放射する曲り導波路構造を備えており、基板平面と平行な光取り出し面に反射防止コーティングが施されていることを特徴とするスーパールミネッセントダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-343484
特開平2-218182
光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-024360 Applicant：オリンパス光学工業株式会社

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