Pat
J-GLOBAL ID：200903047605210262

光電変換装置およびその光電変換素子の製造方法

Inventor：
室園 幹男

About 室園 幹男

, 
日比野 武司

About 日比野 武司

, 
中村 俊之

About 中村 俊之


Applicant, Patent owner：
株式会社クリーンベンチャー二十一

About 株式会社クリーンベンチャー二十一


Agent (3)： 石井 和郎 ,  河崎 眞一 ,  仲 晃一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005056495
Publication number (International publication number)：2006245134
Application date： Mar. 01, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：
【課題】球状の光電変換素子と、支持体の導電体部分との電気的な接続が簡便に行われ、出力の向上した光電変換装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の光電変換装置は、球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなり、第2半導体層が第1半導体の一部を露出させる開口部を有し、前記第1半導体の露出部に電極が形成されたほぼ球状の光電変換素子、並びに前記光電変換素子を個々に取り付ける複数の凹部を有する支持体を具備する。支持体は、その凹部が光電変換素子を嵌合し、その電極側裏面側に露出させる孔を有する。支持体は、第1半導体の電極と電気的に接続される第1導電体、前記凹部の内面を形成している第2導電体層、および第1導電体と第2導電体層とを隔離する電気絶縁層を含み、第2半導体層の表面に導電性の反射防止膜を有し、第2半導体層が前記反射防止膜を介して導電性の接続部材により第2導電体層に電気的に接続されている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなり、第2半導体層が第1半導体の一部を露出させる開口部を有し、前記第1半導体の露出部に電極が形成されたほぼ球状の光電変換素子、並びに前記光電変換素子を個々に取り付ける複数の凹部を有する支持体を具備し、 前記支持体は、前記凹部が前記光電変換素子を嵌合し、前記電極から第2半導体層の開口部の外周縁部にわたる部分を当該支持体の裏面側に露出させる孔を有するものであって、 前記支持体が、少なくとも前記凹部の内面を形成している第2導電体層を含み、 第2半導体層の表面に導電性の反射防止膜を有し、第2半導体層が前記反射防止膜を介して導電性の接続部材により第2導電体層に電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。
IPC (1)：
H01L 31/04
FI (1)：
H01L31/04 A
F-Term (8)：
5F051AA03 ,  5F051CA20 ,  5F051DA03 ,  5F051FA03 ,  5F051FA19 ,  5F051FA22 ,  5F051FA24 ,  5F051GA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 光発電装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-358229   Applicant：浜川圭弘, 室園幹男, 高倉秀行
  • 光電変換装置とその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-216649   Applicant：株式会社クリーンベンチャー二十一
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM