ダイヤモンド膜製造装置、ダイヤモンド膜製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (2)：石島茂男 , 阿部英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006075404
Publication number (International publication number)：2007247032
Application date： Mar. 17, 2006
Publication date： Sep. 27, 2007
Summary：

【課題】UNCDを形成する技術を提供する。【解決手段】グラファイトで構成されたカソード電極132とトリガ電極134の間にトリガ放電を発生させ、アノード電極131とカソード電極132の間にアーク放電を誘起させ、カーボン蒸気のイオンを真空槽10内に放出させる。真空槽10内は水素ガス雰囲気にしておき、電荷を有するカーボン蒸気を成膜対象物20に到達させる。成膜対象物20の表面にSiC膜22を形成しておくと、UNCDが成長する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

真空槽と、筒状のアノード電極と、前記アノード電極内に配置されたグラファイトから成るカソード電極と、前記アノード電極内に配置され前記カソード電極とは離間されたトリガ電極と、前記真空槽に設けられた水素ガス導入系とを有するダイヤモンド膜製造装置。

IPC (3)：

C23C 14/06 , C23C 14/24 , C30B 29/04

FI (3)：

C23C14/06 F , C23C14/24 F , C30B29/04 C

F-Term (15)：

4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DA12 , 4G077EF03 , 4G077EG25 , 4G077SA04 , 4G077SA11 , 4K029AA02 , 4K029BA34 , 4K029BB08 , 4K029CA01 , 4K029DB02 , 4K029DB08 , 4K029DB15 , 4K029DB17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

2004-307241号公報
2005-15325号公報
成膜装置および成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-000844 Applicant：ソナック株式会社

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Cited by examiner (7)

成膜装置および成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-000844 Applicant：ソナック株式会社
蒸着源及び成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-172607 Applicant：株式会社アルバック
特開平2-120245

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