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J-GLOBAL ID：200903047625818526
オーミック電極及びその形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993223528
Publication number (International publication number)：1995078784
Application date： Sep. 08, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 p型ダイヤモンド半導体上に形成され、小さい引出配線抵抗を有してデバイス特性を向上させるオーミック電極及びその形成方法の提供。【構成】 基板10に形成されたp型ダイヤモンド層20上の接触電極層30は、IVA族金属または合金の炭化物からなり、オーミック接触している。また、引出電極層50は、層厚約200nmを有するAu等からなる。接触電極層は、エネルギー的に安定であることから拡散が起こりにくく、引出電極層の表面に接触電極層の金属または合金が析出しないので、引出配線抵抗が低減される。また、接触電極層は、300°C以上の温度による加熱処理でp型ダイヤモンド層と反応して炭化されることにより、p型ダイヤモンド層と接触電極層との間で欠陥の少ない良好な界面が形成されるので、接触抵抗が低減される。
Claim (excerpt)：
基板に形成されたp型ダイヤモンド半導体層上にオーミック接触し、低接触抵抗及び高耐熱性を有して形成された接触電極層と、この接触電極層上に低引出配線抵抗及び高耐熱性を有して形成された引出電極層とを備えるオーミック電極において、前記接触電極層は、Ti、Zr及びHfを含む金属群から選択された少なくとも一つの金属の炭化物、あるいは該金属群から選択された少なくとも一つの金属を含む合金の炭化物のいずれかから形成されていることを特徴とするオーミック電極。
IPC (3)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/285
, H01L 21/324
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