半導体膜およびその製造方法、ならびに半導体装置、その製造方法および半導体製造装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：奥田誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002345807
Publication number (International publication number)：2004179501
Application date： Nov. 28, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】良質な結晶質半導体膜およびその製造する方法を提供する。【解決手段】絶縁性表面上に希ガス元素を含む非晶質半導体層を形成する工程と、非晶質半導体層に結晶化を促進する触媒元素を付与した後、第1の加熱処理を行うことにより、非晶質半導体層を結晶化し、結晶質半導体層を得る工程と、結晶質半導体層中に残存する前記触媒元素の少なくとも一部を移動させることによって、結晶質半導体層に触媒元素の濃度が他の領域よりも低い低触媒領域を形成する工程とを包含する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁性表面上に形成された半導体膜であって、結晶質を有し、前記半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を含む少なくとも1つの領域を含み、且つ、ほぼ全体に亘って希ガス元素を含む、半導体膜。

IPC (5)：

H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (7)：

H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/322 G , H01L21/322 P , H01L21/322 R , H01L29/78 627G , H01L29/78 627Z

F-Term (88)：

5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC16 , 5F045AD06 , 5F045AE19 , 5F045AF07 , 5F045BB12 , 5F045DP02 , 5F045DQ10 , 5F052AA02 , 5F052AA17 , 5F052AA24 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA12 , 5F052EA16 , 5F052FA01 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052HA01 , 5F052JA04 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE34 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP23 , 5F110PP34 , 5F110PP38 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-197383 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
成膜方法及び成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035762 Applicant：大見忠弘
CVD装置の反応室のコーティング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-162583 Applicant：株式会社東芝

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