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J-GLOBAL ID：200903027203390379

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 大沼 英人 ,  三津木 亨 ,  新川 悦子
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001197383
Publication number (International publication number)：2003017407
Application date： Jun. 28, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 均一性の高い結晶質半導体膜を得ること、高い電界効果移動度を得られる結晶質半導体膜を得ることを課題とする。【解決手段】 非晶質半導体膜に希ガス元素(代表的には、アルゴン)を1×1018〜1×1022/cm3の濃度になるように添加し、さらに触媒元素(代表的には、ニッケル)を添加する。その後の加熱処理工程において、結晶核の発生を抑制することができ、粒径の大きな結晶粒が集まった結晶質半導体膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成する第1の工程と、前記非晶質半導体膜に希ガス元素を添加する第2の工程と、前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加する第3の工程と、前記第3の工程の後、加熱処理を行い結晶質半導体膜を形成する第4の工程と、前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射する第5の工程と、ゲッタリング領域を形成する第6の工程と、前記結晶質半導体膜中の触媒元素を前記ゲッタリング領域に移動させる第7の工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (4)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z

F-Term (82)：

2H092KA05 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA24 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-219955   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-082319   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 多結晶シリコン薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-260303   Applicant：株式会社東芝
• 結晶質薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-013376   Applicant：トヨタ自動車株式会社, 財団法人ファインセラミックスセンター
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-094607   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶シリコンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-339545   Applicant：エルジー電子株式会社
• 多層構造を有する素子、その素子の製造装置、及びその素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-104690   Applicant：松下電器産業株式会社