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J-GLOBAL ID：200903050213556366

4H型炭化珪素単結晶育成用種結晶と4H型炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法

Inventor： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  藤本 辰雄
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002152966
Publication number (International publication number)：2003342099
Application date： May. 27, 2002
Publication date： Dec. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】 低欠陥大口径の4H型炭化珪素単結晶ウエハを取り出せる4H型炭化珪素単結晶育成用種結晶を提供する。【解決手段】 (11-20)面から[000-1]C軸を中心に[-1100]軸方向に-45度以上45度以下の範囲にある任意の一方向に、3°以上、60°以下傾いた面を単結晶育成面とする4H型炭化珪素単結晶育成用種結晶である。このような単結晶育成用種結晶を用いることにより高品質で大口径の4H型炭化珪素単結晶インゴットを得ることができる。

Claim (excerpt)：

炭化珪素単結晶からなる4H型炭化珪素単結晶育成用種結晶であって、該単結晶の(11-20)面から、[000-1]C軸を中心に[-1100]軸方向に-45°以上45°以下の範囲にある任意の一方向に、3°以上60°以下傾いた面を単結晶育成面とする4H型炭化珪素単結晶育成用種結晶。

F-Term (11)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DA19 ,  4G077DB07 ,  4G077ED02 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• SiC単結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-056036   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 低抵抗SiC単結晶の育成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-267452   Applicant：新日本製鐵株式会社
• SiC単結晶およびその成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-098148   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 6H-SiC単結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-174952   Applicant：新日本製鐵株式会社