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J-GLOBAL ID：200903047831637317

鉄シリサイド結晶の製造方法。

Inventor：
鵜殿 治彦

About 鵜殿 治彦


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999043955
Publication number (International publication number)：2000247624
Application date： Feb. 22, 1999
Publication date： Sep. 12, 2000
Summary：
【要約】【課題】 成長温度が低く且つ成長速度の速い新規な鉄シリサイド結晶の成長方法の提供。【構成】 In、Ga、Zn、Sn、またはBiを溶媒とし、これに溶質としてFeとSiとを溶解した少なくとも3元の飽和溶液を所定温度範囲で冷却することにより該溶液からα-FeSi2 またはβ-FeSi2 を析出させ、結晶成長させる。
Claim (excerpt)：
In、Ga、Zn、Sn、またはBiを溶媒とし、これに溶質としてFeとSiとを溶解した少なくとも3元の飽和溶液を所定温度範囲で冷却することにより該溶液からα-FeSi2 またはβ-FeSi2 を析出させ、結晶成長させることを特徴とする鉄シリサイド結晶の製造方法。
IPC (4)：
C01B 33/06 ,  C22C 1/00 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/34
FI (4)：
C01B 33/06 ,  C22C 1/00 Q ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/34
F-Term (10)：
4G072AA20 ,  4G072BB11 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ09 ,  4G072MM01 ,  4G072MM38 ,  4G072NN03 ,  4G072NN24 ,  4G072UU01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (4)
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