半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997065778
Publication number (International publication number)：1998261663
Application date： Mar. 19, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】パッド再配置構造を有する半導体装置に関し、低抵抗で、能動素子を保護し、バンプとの密着性をよくし、さらにマイクレーションを防止すること。【解決手段】半導体基板1に形成された半導体素子2と、半導体素子2を囲む領域の上方で、導電材により形成された複数の第一のパッド4と、第一のパッド4を覆う第一の保護絶縁膜5と、第一の保護絶縁膜5に形成されて第一のパッド4を露出させる複数の第一の開口部6と、第一の開口部6を通して第一のパッド4に一端が接続され、第一の開口部4に囲まれた領域に他端が配置され、かつ銅から形成された主導体層15と、白金族の金属から形成された最上層16とを有する引出配線7と、引出配線7の上面のうち他端の近傍部分を第二のパッド17として露出する第二の開口部9を有する第二の保護絶縁膜8を含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成された半導体素子と、前記半導体素子を囲む領域の上方で、導電材により形成された複数の第一のパッドと、前記第一のパッドを覆う第一の保護絶縁膜と、前記第一の保護絶縁膜に形成されて前記第一のパッドを露出させる複数の第一の開口部と、前記第一の開口部を通して前記第一のパッドに一端が接続され、前記第一の開口部に囲まれた領域に他端が配置され、かつ銅から形成された主導体層と、白金族の金属から形成された最上層とを有する引出配線と、前記引出配線の上面のうち前記他端の近傍部分を第二のパッドとして露出する第二の開口部を有する第二の保護絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 , H01L 21/60 301

FI (3)：

H01L 21/92 602 H , H01L 21/60 301 P , H01L 21/60 301 N

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体集積回路装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-007669 Applicant：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-049353 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-260474 Applicant：日本電気株式会社

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