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J-GLOBAL ID:200903048199564879
無鉛半田材料及びそれを用いた電子部品
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
早川 政名 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996310692
Publication number (International publication number):1998180480
Application date: Nov. 21, 1996
Publication date: Jul. 07, 1998
Summary:
【要約】【課題】Sn基であって、Ni被膜を介在させて電子部材と基板を半田付けする際の接合性を向上し得る無鉛半田材料と、これを用いた電子部品を提供する。【解決手段】Fe,Niのうち少なくとも1種を0.01〜5.0重量%、及び残部がSnと不可避不純物からなる組成の無鉛半田材料とすることで、Ni被膜を介在させた半田付けに際して、半田付け性劣化度を向上させる事が出来た。
Claim (excerpt):
鉄(Fe)及びニッケル(Ni)のうち少なくとも1種を0.01〜5.0重量%、及び残部が錫(Sn)と不可避不純物からなる無鉛半田材料。
IPC (3):
B23K 35/26 310
, B23K101:36
, B23K101:40
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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無ないし低含鉛半田合金
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-195401
Applicant:日本アルミット株式会社
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特開平3-097888
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特開平2-034295
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複合半田材料及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-022472
Applicant:田中電子工業株式会社
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半導体基体を支持板上にろう接する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-029687
Applicant:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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特開昭48-020481
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特公昭47-028307
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