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J-GLOBAL ID：200903048210941027

半導体装置

Inventor：
高島 大三郎

About 高島 大三郎

, 
小野 瑞城

About 小野 瑞城


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998185304
Publication number (International publication number)：2000022145
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ゲート絶縁膜に比誘電率が20以上の高誘電率材料を用いたMOSトランジスタにおいて、ゲート絶縁膜厚を薄くすること無く、ゲートリーク電流を抑えつつ、トランジスタの駆動能力向上,ショートチャネル効果抑制,サブスレスホールド特性の向上等をはかる。【解決手段】 第1導電型のチャネルと、このチャネルの両側に形成された第2導電型のソース12及びドレイン13と、チャネルの上に形成された高い比誘電率を持つ高誘電率ゲート絶縁膜14と、このゲート絶縁膜14上に形成されたゲート電極15と、ゲート絶縁膜14の両側に形成された低い比誘電率を持つ低誘電率側部絶縁膜16とを備えたMOSトランジスタにおいて、ゲート絶縁膜14の比誘電率は20以上で、かつゲート絶縁膜14の底部面積S1に対して上部面積S2は1.5倍以上大きい。
Claim (excerpt)：
半導体基板の表面層に形成された第1導電型のチャネルと、このチャネルの両側に形成された第2導電型のソース及びドレインと、少なくとも前記チャネルの上に直接又はバッファ絶縁膜を介して形成された第1の比誘電率を持つゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、少なくとも前記ゲート絶縁膜の側部に形成された第2の比誘電率を持つ側部絶縁膜とを備えた半導体装置であって、第1の比誘電率は20以上で、かつ第2の比誘電率より大きく、前記チャネル,ソース,及びドレインを含む領域と前記ゲート絶縁膜が接する面積S1に対して、前記ゲート電極とゲート絶縁膜が接する面積S2の方を大きくしてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (2)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 102 C
F-Term (26)：
5F040DB09 ,  5F040EA08 ,  5F040EC07 ,  5F040EC19 ,  5F040ED02 ,  5F040ED03 ,  5F040ED04 ,  5F040ED09 ,  5F040EE02 ,  5F040EE04 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040FA01 ,  5F048AA08 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB11 ,  5F048BD01 ,  5F048BD02 ,  5F048BD06 ,  5F048BG01 ,  5F048BG11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (15)
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