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J-GLOBAL ID：200903048266804545

シリコン基板の反り変形方法

Inventor：
曽我 哲夫

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梅野 正義

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神保 孝志

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タルン シャルダ

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Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

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Agent (1)： 小倉 亘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001025646
Publication number (International publication number)：2002228798
Application date： Feb. 01, 2001
Publication date： Aug. 14, 2002
Summary：
【要約】【目的】 シリコン基板Sに微結晶ダイヤモンド薄膜Dを堆積させ、シリコン基板S/ダイヤモンド薄膜D間の応力によってシリコン基板Sを反り変形させる。【構成】 電気伝導性サセプタ4を介し回転可能な基板支持台2に載置されたシリコン基板Sに微結晶質のダイヤモンド薄膜DをプラズマCVD法で堆積させ、シリコン基板S/ダイヤモンド薄膜D間の応力でシリコン基板を反り変形させる際、好ましくは負電圧-200〜-400Vの負バイアスをシリコン基板Sに印加する。シリコン基板Sの載置部を除くサセプタ4の表面は、プラズマP中にあるカーボンの正イオン全てがシリコン基板Sに導かれるように、石英板5等の絶縁材料で覆うことが好ましい。
Claim (excerpt)：
電気伝導性サセプタを介して基板支持台に載置されたシリコン基板の表面にダイヤモンド薄膜をプラズマCVD法で堆積させ、シリコン基板とダイヤモンド薄膜との間に生じる応力でシリコン基板を反り変形させる際、シリコン基板に負バイアスを印加してダイヤモンド薄膜を微結晶質にすることを特徴とするシリコン基板の反り変形方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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